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2 pollici 3 pollici 4 pollici SiC Substrato 330um Spessore 4H-N Tipo di qualità di produzione
  • 2 pollici 3 pollici 4 pollici SiC Substrato 330um Spessore 4H-N Tipo di qualità di produzione
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2 pollici 3 pollici 4 pollici SiC Substrato 330um Spessore 4H-N Tipo di qualità di produzione

Luogo di origine Cina
Marca ZMSH
Certificazione rohs
Numero di modello Substrato SiC
Dettagli del prodotto
dimensione:
Personalizzato
Tensione di rottura:
5,5 MV/cm
Tipo del substrato:
Substrato SiC
Materiale:
Carburo di silicio
Durezza superficiale:
HV0.3>2500
Roughness superficiale:
Ra<0.5nm
Drogante:
N/A
Costante dielettrica:
9,7
Descrizione di prodotto

Descrizione del prodotto:

Il substrato SiC è disponibile in varie dimensioni, tra cui 2 pollici, 3 pollici, 4 pollici, 6 pollici e 8 pollici.

Il substrato SiC ha una densità di 3,21 G/cm3, che lo rende un materiale altamente resistente e robusto.3> 2500 assicura che possa resistere a alte temperature e ambienti difficili, che lo rende adatto per l'uso in condizioni estreme.

La resistività del substrato SiC è di 0,015 ~ 0,028 ohm.cm o > 1E7 ohm.cm, rendendolo un eccellente conduttore di elettricità.Questa caratteristica assicura che possa essere utilizzato in vari dispositivi elettronici che richiedono una elevata conducibilità.

Il substrato SiC è disponibile in piastre di dimensioni personalizzate, tra cui 1x1cm, 0,5x0,5mm, 5x5mm e 10x10mm.Ciò offre ai clienti la flessibilità di scegliere la dimensione specifica che soddisfa i loro requisiti di progettazione e produzione.

In sintesi, il substrato SiC è un materiale di alta qualità che offre proprietà fisiche e chimiche eccezionali, rendendolo una scelta ideale per vari dispositivi elettronici.Disponibilità in diverse dimensioni, comprese le piastre di dimensioni personalizzate come 1x1cm e 0,5x0,5mm, ne fanno un materiale versatile e flessibile per la progettazione e la produzione.

 

Caratteristiche:

  • Nome del prodotto: SiC Substrato
  • Dischi di dimensioni personalizzate: 0,5x0,5 mm, 1x1 mm, 5x5 mm, 10x10 mm
  • Costante dielettrica: 9.7
  • Superficie: Si-face CMP, C-face MP
  • Durezza superficiale: HV0,3>2500
  • Resistenza alla trazione: > 400 MPa

Il nostro prodotto SiC Substrate è ideale per wafer in carburo di silicio e viene fornito in piastre di dimensioni personalizzate tra cui 1x1cm e 0.5x0.5mm.

 

Applicazioni:

Il prodotto a base di substrato di SiC è disponibile in dimensioni personalizzate, consentendogli di essere utilizzato in varie applicazioni.dispositivi ad alta frequenzaI chip sic di dimensioni personalizzate sono perfetti per la creazione di dispositivi elettronici altamente efficienti e affidabili.5 X 10-6/K, che lo rende un materiale ideale per applicazioni ad alta temperatura.

Il prodotto costituito da un substrato di SiC è inoltre adatto all'uso nell'industria dei semiconduttori, dove può essere utilizzato nella produzione di LED blu e verdi.nonché nella produzione di transistor ad alta potenzaIl prodotto a substrato SiC è disponibile sia in superficie CMP sia in superficie C-MP, offrendo maggiori opzioni ai produttori di semiconduttori.

I chip sic di dimensioni personalizzate sono utili anche nello sviluppo di dispositivi elettronici di potenza avanzata, come inverter e convertitori.il prodotto a base di substrato di SiC è ideale per queste applicazioniLa resistività del prodotto del substrato SiC è di 0,015~0,028 ohm.cm o > 1 E7 ohm.cm, rendendolo adatto per l'uso in una vasta gamma di dispositivi elettronici.

Il prodotto costituito da un substrato di SiC può anche essere utilizzato nell'industria dell'ottica, in particolare nella produzione di macchine per il taglio laser.I chip sic di dimensioni personalizzate del prodotto possono essere utilizzati per creare dispositivi di taglio laser altamente precisi ed efficienti.

In sintesi, il prodotto a substrato SiC ZMSH SIC010 è versatile e può essere utilizzato in vari settori, tra cui elettronica, semiconduttori, elettronica di potenza e ottica.Le sue dimensioni personalizzabili e l'eccellente conduttività termica lo rendono un materiale ideale per applicazioni ad alta temperaturaLa sua disponibilità sia nelle superfici Si-face CMP che C-face MP la rende anche più versatile.

 

Personalizzazione:

Il substrato SiC ZMSH SIC010 è un substrato di alta qualità che può essere personalizzato in base alle vostre specifiche.La quantità minima di ordine è di 10pc e il prezzo è caso per caso. I dettagli di imballaggio includono la scatola di plastica personalizzata per la vostra comodità. Il tempo di consegna è entro 30 giorni e i termini di pagamento sono T / T. La nostra capacità di fornitura è di 1000pc / mese.

Questo substrato ha una conduttività termica di 4,9 W/mK e una resistività di 0,015 ~ 0,028 ohm.cm; o > 1E7 ohm.cm.; il dopante è N/A e il tipo di substrato è il substrato.Le dimensioni possono essere personalizzate in base alle vostre esigenze.

I nostri servizi di personalizzazione dei prodotti per il substrato SiC ZMSH SIC010 includono wafer sic HPSI semi 4h, taglio laser sic e taglio laser sic. Contattaci per saperne di più sulle nostre opzioni di personalizzazione.

 

Imballaggio e trasporto:

Imballaggio del prodotto:

Il substrato SiC sarà confezionato in una schiuma protettiva per evitare danni durante il trasporto.Il materiale di schiuma deve essere collocato in una scatola di cartone robusta con un'etichetta che indichi il nome del prodotto e le specifiche.

Spedizione del prodotto:

I costi di spedizione e i tempi di consegna stimati saranno forniti al momento del pagamento o su richiesta.

Contattici in qualunque momento

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Rm5-616, No.851, viale di Dianshanhu, area di Qingpu, città di Shanghai, CINA
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