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Taglio laser per materiali a densità di carburo di silicio (SiC)
  • Taglio laser per materiali a densità di carburo di silicio (SiC)
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  • Taglio laser per materiali a densità di carburo di silicio (SiC)

Taglio laser per materiali a densità di carburo di silicio (SiC)

Luogo di origine Cina
Marca ZMSH
Numero di modello Substrato SiC
Dettagli del prodotto
Superficie:
CMP Si-face; Mp faccia C;
Tensione di rottura:
5,5 MV/cm
Densità:
3.21 G/cm3
Conduttività termica:
4,9 W/mK
Costante dielettrica:
9,7
Resistenza:
0,015~0,028ohm.cm; Oppure >1E7ohm.cm;
Durezza superficiale:
HV0.3>2500
Drogante:
N/A
Descrizione di prodotto

Taglio laser per materiali a densità di carburo di silicio (SiC)

Descrizione del prodotto:

Il nostro substrato SiC è disponibile in piastre sic a forma personalizzata, con dimensioni standard di 10x10mm e 5x5mm, nonché chip sic di dimensioni personalizzate per soddisfare le vostre esigenze specifiche.Il substrato SiC è progettato per fornire la massima conduttività termica, che lo rende perfetto per l'uso in dispositivi elettronici ad alta potenza.

Il substrato SiC è privo di dopanti, il che lo rende ideale per la ricerca e lo sviluppo di nuovi dispositivi elettronici.Il substrato è altamente stabile e può resistere ad ambienti ad alta temperatura e ad alta tensione., rendendolo perfetto per l'uso in condizioni difficili.

Nel complesso, il nostro substrato SiC è un substrato affidabile e di alta qualità che può essere utilizzato in una varietà di applicazioni elettroniche.in combinazione con la sua elevata conduttività termica e stabilità, lo rendono una risorsa preziosa per lo sviluppo di dispositivi elettronici ad alta potenza.

 

Caratteristiche:

  • Nome del prodotto: SiC Substrato
  • Tensione di rottura: 5,5 MV/cm
  • Resistenza alla trazione: > 400 MPa
  • Coefficiente di espansione termica: 4,5 x 10-6/K
  • Costante dielettrica: 9.7
  • Superficie: Si-face CMP; C-face Mp

Applicazioni:

Il substrato SiC ZMSH SIC010 è un substrato di alta qualità realizzato con Wafer Sic 4H-Semi HPSI. È prodotto in Cina con un rigoroso controllo della qualità ed è certificato ROHS.Il substrato è disponibile in 0La rugosità superficiale del substrato è di Ra< 0,5 nm,garantire un'elevata precisione e precisione nel prodotto finale.

Il substrato SiC ZMSH SIC010 è una scelta popolare per vari settori, tra cui l'industria dei semiconduttori, dove viene utilizzato come substrato per la crescita di strati epitaxiali.Viene utilizzato anche nell'elettronica di potenzaL'elevata durezza superficiale del substrato HV0.3>2500 lo rende ideale per applicazioni che richiedono durata e resistenza.

Il substrato SiC ZMSH SIC010 è disponibile per l'acquisto per caso, con una quantità minima di ordine di 10 pezzi.Il tempo di consegna è entro 30 giorniLa capacità di approvvigionamento è di 1000 pezzi al mese, garantendo che i clienti possano sempre ottenere il substrato di cui hanno bisogno quando ne hanno bisogno.

Nel complesso, il substrato SiC ZMSH SIC010 è una scelta eccellente per chiunque cerchi un substrato di alta qualità per le proprie applicazioni.e la sua versatilità lo rendono adatto per una vasta gamma di occasioni e scenari.. Sia che abbiate bisogno di un Wafer Sic 4H-Semi HPSI, un substrato da 1x1cm, o un substrato da 0,5x0,5mm, il Substrato SiC ZMSH SIC010 è la scelta perfetta per le vostre esigenze.

 

Personalizzazione:

  • Marchio: ZMSH
  • Numero di modello: SIC substrato
  • Luogo di origine: CINA
  • Quantità minima d'ordine: 10pc
  • Prezzo: caso per caso
  • Imballaggio: scatola di plastica personalizzata
  • Tempo di consegna: 2-4 settimane
  • Termini di pagamento: T/T
  • Capacità di approvvigionamento: 1000 pezzi al mese
  • Roverezza superficiale: Ra<0,5 nm
  • Conduttività termica: 4,9 W/mK
  • Tipo di substrato: substrato
  • Dopante: N/A
  • Disponibili piastre di taglia personalizzata: 1x1cm,0.5x0.5 mm
    • Disponibili piastre SiC a forma personalizzata
  • Dimensioni disponibili: 2 pollici, 3 pollici, 4 pollici, 6 pollici, 8 pollici
 

Imballaggio e trasporto:

Imballaggio del prodotto:

Il prodotto costituito da un substrato di SiC sarà imballato in modo sicuro in una scatola di cartone con inserti di schiuma per evitare danni durante il trasporto.Ogni substrato sarà avvolto individualmente in un materiale antistatico per proteggere dalle scariche elettrostaticheLa scatola sarà inoltre etichettata con il nome del prodotto, la quantità e tutte le istruzioni necessarie per la manipolazione.

Spedizione del prodotto:

Il prodotto costituito da un substrato di SiC sarà spedito tramite un servizio di corriere affidabile, il cui metodo di spedizione dipenderà dalla posizione e dalle preferenze del cliente.Ai clienti verrà fornito un numero di tracciamento per monitorare l'andamento della loro spedizione.I tempi di consegna variano a seconda della destinazione, ma i clienti possono aspettarsi che l'ordine arrivi entro 7-10 giorni lavorativi.

Contattici in qualunque momento

86-1580-1942596
Rm5-616, No.851, viale di Dianshanhu, area di Qingpu, città di Shanghai, CINA
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