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Wafer di GaAs
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| Luogo di origine | La CINA |
| Marca | zmsh |
| Certificazione | ROHS |
| Numero di modello | Wafer di 6INCH GaAs |
struttura del monoclinale del substrato dell'ossido del gallio di 10x10mm
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Il cristallo dell'ossido del gallio dell'equilibrio ha una struttura di monoclinal con due aerei di fenditura (100) e (001). Per quanto il processo di crescita, il processo di crescita (dei 100) a cristallo cristallini dell'ossido del gallio di fase è più facile da svilupparsi, mentre il processo di crescita (del 001) cristallo richiede il controllo dei processi estremamente alto. Nelle stesse condizioni di lavorazione, la qualità di superficie ed il rendimento (della 001) superficie sono migliori e (le 100) superfici facilmente sono fendute e rotte, rendente la difficile raggiungere l'elaborazione efficiente ed alta di qualità di superficie. Dal lato dell'applicazione, (il 001) ossido di cristallo principale del gallio di fase è più adatto ad uso dei dispositivi a semiconduttore di potere, in modo da è difficile da controllare la crescita (del 001) cristallo di cristallo principale dell'ossido del gallio di fase, ma ha grande valore industriale, o non ha il processo di crescita di grande (001) ossido di cristallo principale del gallio di fase, lato dell'applicazione del mercato dell'ossido del gallio sarà estremamente difficile da promuovere il processo.
Prima della presentazione dell'ossido del gallio (Ga2O3), lascimi introdurre un altro termine: ampi materiali a semiconduttore di intervallo di banda.
La larghezza di intervallo di banda è un parametro caratteristico importante del semiconduttore. Secondo la struttura di banda differente dei materiali a semiconduttore, i materiali a semiconduttore possono essere divisi in due tipi: ampio intervallo di banda e lacuna a banda stretta. Se la larghezza di intervallo di banda del materiale a semiconduttore è più di meno di 2.3eV, è chiamato un semiconduttore a banda stretta di lacuna. Se la larghezza di intervallo di banda del materiale a semiconduttore è superiore o uguale a 2.3eV, è chiamato un semiconduttore a larga banda di lacuna. Più grande la larghezza del bandgap di un materiale a semiconduttore, del maggior l'energia richiesta per i suoi elettroni alla transizione alla banda di conduzione e così dell'più alta la temperatura e la tensione che il materiale può resistere a, cioè, meno facile è di trasformarsi in in un conduttore.
Gli ampi materiali a semiconduttore di intervallo di banda sono molto adatti a produzione della resistenza di radiazione, alta frequenza, alto potere e apparecchi elettronici integrati ad alta densità, che hanno buona resistenza di radiazione e la stabilità chimica, l'alta velocità saturata del flusso elettronico e la conducibilità termica, proprietà elettriche eccellenti ed altre caratteristiche. Negli ultimi anni, gli ampi materiali rapidamente elaboranti a semiconduttore di intervallo di banda hanno vaste prospettive dell'applicazione nell'illuminazione a semiconduttore, in una nuova generazione di comunicazione su mezzi mobili, nella griglia astuta, nel transito della ferrovia ad alta velocità, nei nuovi veicoli di energia, nei prodotti elettronici di consumo ed in altri campi e si pensano che si trasformino nei nuovi materiali chiave che sostengono lo sviluppo di informazioni, di energia, di trasporto, di difesa nazionale e di altre industrie. Ricerca e sviluppo della tecnologia relativa dei materiali a semiconduttore di ampio-Gap stanno trasformandosi in in un nuovo altopiano strategico nell'industria globale a semiconduttore.
| Orientamento | 100 | 100 | 100 |
| Verniciatura | UID | Mg | Fe |
| parametro elettrico |
1×1017~3×1018cm-3 |
≥1010Ω·cm
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≥1010Ω·cm
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minuto secondo |
≤150 | ≤150 | ≤150 |
| densità di dislocazione | cm2 <1×105 | cm2 <1×105 | cm2 <1×105 |
CIRCA IL NOSTRO ZMKJ
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