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4' 6' AIN sui substrati di silicio SSP DSP Wafers semiconduttori 100nm 200nm strato
  • 4' 6' AIN sui substrati di silicio SSP DSP Wafers semiconduttori 100nm 200nm strato
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4' 6' AIN sui substrati di silicio SSP DSP Wafers semiconduttori 100nm 200nm strato

Luogo di origine Cina
Marca ZMSH
Certificazione ROHS
Numero di modello Modello AIN sul silicio
Dettagli del prodotto
Materiale:
Modello AIN sul silicio
orientamento:
111
Polizione:
SSP, DSP
Diametro:
4''
Spessore:
100 nm, 200 nm
Applicazione:
Substrati di semiconduttori
tipo di conducibilità:
tipo di n
Resistività:
1-100 ohm.cm
Macro densità di difetto:
< 10/cm^2
Evidenziare: 

AIN sulle wafer a semiconduttore

,

AIN sui substrati di silicio

,

Nitruro di alluminio su wafer di silicio

Descrizione di prodotto

4' 6' AIN sui substrati di silicio SSP DSP Wafers semiconduttori 100nm 200nm strato

 

Descrizione:

Il nitruro di alluminio su wafer di silicio è un nuovo tipo di materiale semiconduttore che offre proprietà uniche.La ceramica in nitruro di alluminio ha una bassa costante dielettrica ed eccellenti proprietà meccanicheNon è tossico e ha un coefficiente di espansione lineare simile a quello del silicio.Questa combinazione di proprietà rende il nitruro di alluminio un materiale ideale per molte applicazioni elettronicheUn film sottile di nitruro di alluminio è una forma di materiale semiconduttore.È anche resistente agli elettromagneti e ha un punto di ebollizione elevatoIl nitruro di alluminio viene utilizzato per la produzione di acciaio, ma non è consigliabile utilizzarlo per la lavorazione di wafers di silicio senza una corretta ricottura.

4' 6' AIN sui substrati di silicio SSP DSP Wafers semiconduttori 100nm 200nm strato 04' 6' AIN sui substrati di silicio SSP DSP Wafers semiconduttori 100nm 200nm strato 1

 

Specificità:

 

  • Superficie utile: 90%
  • Spessore nominale di AlN: 200nm ± 5%, film non dopato di AlN rivestito da un lato
  • Superficie anteriore: cresciuta
  • Superficie posteriore: silicio ricevuto
  • orientamento AlN: piano C (001)
  • Densità di difetto macro: < 5 cm^2
  • Base del wafer: silicio [111] tipo N, 2" di diametro x0,5 mm, Resistenza: <5 ohm-cm, un lato lucidato

Applicazione:

  • Il nitruro di alluminio su wafer di silicio è un materiale di substrato ideale per molte applicazioni.La sua elevata conduttività termica e la sua bassa resistenza lo rendono un materiale adatto a molte applicazioni elettronicheQuesto rende il nitruro di alluminio sul silicio la scelta migliore per l'elettronica ed è ecologico.
  • Rispetto al silicio, il nitruro di alluminio sul silicio ha un'eccellente conducibilità elettrica e un coefficiente di espansione termica inferiore.Oltre all'elettronica, è anche sicuro per l'ambiente.
  • Il nitruro di alluminio su wafer di silicio è un'ottima alternativa all'ossido di berilio nelle applicazioni elettroniche.Questo materiale semiconduttore può anche essere utilizzato in applicazioni elettroniche.
  • Il materiale è estremamente resistente ed è adatto per una varietà di applicazioni elettroniche.La sua bassa conduttività termica e il suo elevato isolamento elettrico lo rendono un materiale eccellente per dispositivi elettroniciA differenza del silicio, è non tossico e facile da produrre. Oltre alle applicazioni elettroniche, ha anche una bassa costante dielettrica. È anche un eccellente sostituto del silicio nei laser ad alta velocità.

 

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Introduzione alla Società:

SHANGHAI FAMOUS TRADE CO., LTD. si trova nella città di Shanghai, che è la migliore città della Cina, e la nostra fabbrica è stata fondata nella città di Wuxi nel 2014.Siamo specializzati nella trasformazione di una varietà di materiali in wafer, substrati e parti di vetro ottico customizzato.Abbiamo anche lavorato a stretto contatto con molte università nazionali ed estere, istituti di ricerca e imprese, forniscono prodotti e servizi personalizzati per i loro progetti di R & S. E' la nostra visione di mantenere un buon rapporto di cooperazione con tutti i nostri clienti per la nostra buona reputazione.
4' 6' AIN sui substrati di silicio SSP DSP Wafers semiconduttori 100nm 200nm strato 4
 

 

 

 

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