2' 4' InP Wafer Indium Fosfuro Wafer Semiconduttore Substrati 350um 650um
Descrizione diWafer InP:
I chip InP (fosfuro di indio) sono un materiale semiconduttore comunemente utilizzato per la fabbricazione di dispositivi optoelettronici ad alte prestazioni come fotodiodi, laser e sensori fotoelettrici.
- Struttura cristallina: i chip InP adottano una struttura cristallina cubica con una struttura reticolare altamente ordinata.
- Gap energetico: i chip InP hanno un piccolo gap energetico diretto di circa 1,35 eV, che è un materiale semiconduttore nella gamma della luce visibile.
- Indice di rifrazione: l'indice di rifrazione di un wafer InP varia con la lunghezza d'onda della luce ed è di circa 3,17 nella gamma visibile.
- Conduttività termica: InP ha una elevata conduttività termica di circa 0,74 W/ ((cm·K).
- Mobilità elettronica: i chip InP hanno un'elevata mobilità elettronica di circa 5000 cm^2/(V·s).
- Dimensione del chip: I chip InP sono generalmente forniti in forma di chip rotondo e possono variare in diametro da pochi millimetri a diversi pollici.
- Caratteristiche superficiali: la superficie del chip InP è generalmente trattata in modo speciale per migliorare la sua piattezza e pulizia.
Caratteristiche delWafer InP:
Il chip InP (fosfuro di indio) è ampiamente utilizzato nel campo dei dispositivi optoelettronici come materiale di substrato di dispositivi semiconduttori.
- Gap di energia diretta: i chip InP hanno un piccolo gap di energia diretta (circa 1,35 eV), che consente loro di assorbire ed emettere efficacemente segnali luminosi nella gamma visibile.
- Alta mobilità elettronica: i chip InP hanno un'elevata mobilità elettronica (circa 5000 cm^2/(V·s)), che li rende eccellenti proprietà elettriche nei dispositivi elettronici ad alta velocità.
- Forte effetto fotoelettrico: i chip InP hanno un forte effetto fotoelettrico, che li rende eccellenti nei dispositivi come fotodettori e fotodiodi.
- Stabilità e affidabilità: i chip InP hanno una buona stabilità termica e buone proprietà elettriche, che consentono loro di lavorare in ambienti ad alta temperatura e con campi elettrici elevati.
- Tecniche di preparazione estese: i wafer InP possono essere coltivati con una varietà di tecniche di preparazione, come la deposizione di vapore chimico metallico-organico (MOCVD) e l'epitaxia a fascio molecolare (MBE).
Parametri tecnici diWafer InP:
Articolo |
Parametro |
UOM |
Materiale |
InP |
|
Tipo di conduzione/Dopant |
S-C-N/S |
|
Grado |
Cazzo. |
|
Diametro |
100.0+/-0.3 |
mm |
Orientazione |
(100) +/- 0,5° |
|
Area gemellare lamellare |
superficie utile a cristalli singoli con orientamento (100) > 80% |
|
Orientazione primaria piatta |
EJ ((0-1-1) |
mm |
Lunghezza piatta primaria |
32.5+/-1 |
|
Orientazione piatta secondaria |
Giornata europea |
|
Lunghezza piatta secondaria |
18+/-1 |
|
Applicazioni diWafer InP:
Il chip InP (fosfuro di indio), come materiale di substrato dei dispositivi semiconduttori, ha ottime proprietà fotoelettriche ed elettriche.I seguenti sono alcuni dei principali settori di applicazione dei materiali di substrato per chip InP:
- Comunicazione ottica: può essere utilizzata per la produzione di trasmettitori di luce (come i laser) e ricevitori di luce (come i fotodiodi) nei sistemi di comunicazione in fibra ottica.
- Rilevamento e rilevamento ottici: i fotodetettori basati su chip InP possono convertire efficacemente i segnali ottici in segnali elettrici per la comunicazione ottica, la misurazione ottica, la rilevazione dei dati e la rilevazione dei dati.analisi spettrale e altre applicazioni.
- Tecnologia laser: i laser basati su INP sono ampiamente utilizzati nella comunicazione ottica, nello stoccaggio ottico, nel liDAR, nella diagnosi medica e nella lavorazione dei materiali.
- Circuiti integrati optoelettronici: i chip InP possono essere utilizzati per realizzare circuiti integrati optoelettronici (OEics),che è l'integrazione di dispositivi optoelettronici e dispositivi elettronici sullo stesso chip.
- Cellule solari: i chip InP hanno un'elevata efficienza di conversione fotoelettrica, quindi possono essere utilizzati per la produzione di celle solari efficienti.
FAQ:
Q1: Quale marchio è ilWafer InP?
A1: IlFosfuro di indioè prodotto da ZMSH.
Q2: Qual è il diametro delFosfuro di indio?
A2: Il diametro diFosfuro di indioè 2'', 3'', 4''.
Q3: Dove si trova ilFosfuro di indioDa cosa?
A3: IlFosfuro di indioè dalla Cina.
D4: È laFosfuro di indioCertificato ROHS?
A4: Sì, ilFosfuro di indioè certificato ROHS.
D5: QuantiFosfuro di indioPosso comprare i waffles in una sola volta?
A5: Il quantitativo minimo di ordinazioneFosfuro di indioSono 5 pezzi.
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