6inch sic substrati, 6inch sic wafer, lingotti sic di cristallo,
blocco sic a cristallo, sic substrati a semiconduttore, wafer del carburo di silicio
Diametro a 6 pollici, specificazione del substrato del carburo di silicio (sic) | ||||||||
Grado | Grado zero di MPD | Grado di produzione | Grado di ricerca | Grado fittizio | ||||
Diametro | 150,0 mm±0.2mm | |||||||
ThicknessΔ | 350 μm±25μm o 500±25un | |||||||
Orientamento del wafer | Fuori dall'asse: 4.0° verso< 1120=""> ±0.5° per l'asse di 4 H-N On: <0001> ±0.5° per 6H-SI/4H-SI | |||||||
Piano primario | {10-10} ±5.0° | |||||||
Lunghezza piana primaria | 47,5 mm±2.5 millimetro | |||||||
Esclusione del bordo | 3 millimetri | |||||||
TTV/Bow /Warp | ≤15μm/≤40μm/≤60μm | |||||||
Densità di Micropipe | cm2 ≤1 | cm2 ≤5 | cm2 ≤15 | cm2 ≤100 | ||||
Resistività | 4H-N | 0.015~0.028 Ω·cm | ||||||
4/6H-SI | ≥1E5 Ω·cm | |||||||
Rugosità | Ra≤1 polacco nanometro | |||||||
CMP Ra≤0.5 nanometro | ||||||||
Crepe da luce ad alta intensità | Nessuno | 1 conceduto, ≤2 millimetro | ≤ cumulativo 10mm, singolo length≤2mm di lunghezza | |||||
Piatti della sfortuna da luce ad alta intensità | Area cumulativa ≤1% | Area cumulativa ≤2% | Area cumulativa ≤5% | |||||
Aree di Polytype da luce ad alta intensità | Nessuno | Area≤2% cumulativo | Area≤5% cumulativo | |||||
Graffi da luce ad alta intensità | 3 graffi alla lunghezza cumulativa del diametro 1×wafer | 5 graffi alla lunghezza cumulativa del diametro 1×wafer | 5 graffi alla lunghezza cumulativa del diametro 1×wafer | |||||
Chip del bordo | Nessuno | 3 conceduti, ≤0.5 millimetro ciascuno | 5 conceduti, ≤1 millimetro ciascuno | |||||
Contaminazione da luce ad alta intensità | Nessuno |
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